张清纯

  • 职称:特聘教授、博导

  • 职务:超越照明研究所副所长

  • 电子邮箱:Qingchun_Zhang@fudan.edu.cn

  • 办公地点:邯郸路539号新金博大厦203室

  • 电话:021-

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  • 研究方向

  • 招生专业

  • 授课情况

  • 科研项目

  • 代表性论文和著作

  • 教育工作经历

  • 学术兼职

  • 获奖情况

  • 半导体物理与器件

  • 宽带半导体器件物理、工艺、测试、产业化及应用

  • 器件模拟及仿真

  • 电力系统




  • J. Wang, V. Veliadis, J. Zhang, Y. Alsmadi, P. Wilson, and M. Scott, “A roadmap for Silicon Carbide adoption in power conversion applications”, IEEE Power Electronics Magazine, Vol. 5, No. 2, June 2018.

  • V. Veliadis, R. Kaplar, J. Zhang, M. Bakowski, S. Khalil, and P. moens, “WBG and UWBG materials and devices are examed in a new working group”, IEEE Power Electronics Magazine, Vol. 5, No. 2, June 2018.

  • H. O’Briean, A. Ogunniyi, J. Zhang, and B. Hull, “SiC MOSFETs designed and evaluated for linear mode operation”, 2017 IEEE 5th Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications (WiPDA).

  • P. A. Ivanov, V. S. Yuferev, M. E. Levinshtein, J. Q. Zhang, J. W. Palmour, 'Collector Conductivity Modulation in 1200-V 4H-SiC BJTs', Materials Science Forum, Vol. 897, pp. 563-566, 2017.

  • Q. J. Zhang, G. Wang, C. Jonas, C. Capell, S. Pickle, P. Butler, D. J. Lichtenwalner, E. van Brunt,H. Ryu, J. Richmond, B. Hull, J. Casady, S. Allen, J. W. Palmour, J. Q. Zhang, 'Next Generation Planar 1700 V, 20 mΩ 4H-SiC DMOSFETs with Low Specific On-Resistance and High Switching Speed', Materials Science Forum, Vol. 897, pp. 521-524, 2017.

  • 2019.10-至今,复旦大学,工程与应用技术研究院,特聘教授

  • 2019.04-2019.08,Alpha&Omega Semiconductors,技术部,资深主任工程师

  • 2018.04-2019.04,北卡州立大学,电子和计算机系,客座教授

  • 2017.10-2019.04,电力美国技术研究院,电力半导体器件部,主任

  • 2005.02-2017.10,Cree, Inc,研发部,高级科学家

  • 2001.10-2005.02,Rockwell Scientific Company,研发部,研究员

  • 1997.09-2001.04,University of South Carolina,电子工程,博士

  • 1994.09-1997.08,清华大学,电力电子技术,硕士

  • 1987.09-1992.08,清华大学,微电子学,学士

  • 深圳第三代半导体研究院,双跨教授

  • 2017年,上海市科技进步奖, TVOS智慧家庭网关的关键技术研究与应用示范,三等奖,排名5