4月27日下午，“深耕新工科 培育新人才”工程与应用技术研究院（以下简称工研院）系列学术讲座第三期于线上举行。本次讲座由复旦大学特聘教授、超越照明研究所副所长、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任张清纯主讲《宽禁带半导体材料、器件及应用：过去、现状和未来》，校科研院产学研合作处处长郭睿倩教授主持，近200名师生在线参与本次活动。

       张清纯教授首先概述了第三代半导体材料（SiC和GaN）的优势、器件应用领域和市场发展状况，介绍了国外SiC半导体技术的发展历程和重大产业布局。报告结合具体实例对国内SiC 材料质量、制造技术及器件特性的最新进展进行列举与分析。经过近十年的不断努力，国内目前SiC半导体材料、器件和制造技术均取得长足的进步。SiC功率器件的主要性能已达国际领先水平，芯片可靠性取得重大进展。产业链重点关键技术的突破对推动我国第三代半导体这一战略新兴产业的发展具有重大意义。报告介绍了复旦大学碳化硅半导体技术在该领域前沿研究和面向产业化研发的规划，复旦大学宽禁带半导体团队将依托上海碳化硅功率器件工程与技术研究中心、宁波宽禁带半导体材料和器件研究所，聚焦高水平研究生培养和学科建设，服务国家第三代半导体产业发展，针对制约SiC半导体技术和产业发展的瓶颈，解决低缺陷衬底生长、超级结技术、高沟道迁移率及高频高温封装技术等面临的重大基础科学问题，力争实现核心技术突破和产业战略引领，将复旦大学打造为国内一流、国际领先的宽禁带半导体材料和器件研发中心。

        张教授在分享中表示第三代半导体发展是中国新基建七大领域核心驱动力之一，SiC半导体是国家战略发展的重点方向。复旦大学科研团队将在现有成果的基础上，继续努力建设好聚焦于宽禁带技术前沿研发及产业化的实验室、研究所，为推动技术创新和发展作出更大贡献。

       报告结束后，张清纯教授与参会人员就碳化硅行业发展、前沿热点、技术难点和产业化瓶颈等问题进行了探讨与交流，并与学生分享了关于学业、职业和管理等方面的心得体会。